Nya perspektiv vid horisonten för ultrasnabb elektronik

Dagens miljöproblem blir allt fler och dramatiska att övergången till förnybara energiformer blir mer och mer akut. Dessutom krävs det att man använder effektiva metoder för distribution, konvertering och användning av el. I detta sammanhang blir användningen av material som kan göra ultrasnabb elektronik mer och mer effektiv allt viktigare.

Rätt inom området mikroelektronik verkar vara på väg att öppna nya blivande verkligen mycket lovande baserat på användningen av en innovativ halvledarmaterialklass. Det är om ny tvådimensionella former av galliumnitrid (GaN) och andra nitrider som kommer att ligga till grund för att erhålla en ultrasnabb högpresterande elektronik och energieffektiv. Faktum är att användningen av dessa 2D-nitrider öppnar nya möjligheter för tillämpningen av dessa material just i mikro- och nanoelektronik.

En av de första studierna som beskrev möjligheten att använda 2D-nitrider för att öka effektiviteten hos ultrasnabb elektronik visas på tidningens sidor Avancerade material. Forskningen i fråga bär signaturen av ett team av forskare frånuniversitet av LinköpingavMFA-EK från budapest Han föddes i Cnr från Catania. Forskare tack vare användningen av avancerade tekniker för mikroskopi är ledande atomkraft (CAFM) den där elektronik (TEM) kunde förstå extraordinära fastigheter av dessa mycket innovativa tvådimensionella material.

Specifikt är forskare överens om att dessa nya 2D-former av nitrider kommer att möjliggöra skapandet av nya ultrasnabba transistorer och energimässigt mycket effektivare än de nuvarande för en verkligt avantgardistisk mikroelektronik. Detta gör det också möjligt att till exempel arbeta med frekvenser från 100 GHz vid THzdet vill säga kapabla att öppna nya gränser inom telekommunikation utöver 5G-teknik.

Relaterade Artiklar

Back to top button